Magnachip เปิดตัว BatteryFET 24V รุ่นใหม่สำหรับการป้องกันแบตเตอรี่สมาร์ทโฟนพับสามส่วน

– ลดขนาดชิปลง 26% และปรับปรุง R_ss(on) ได้ 31% โดยอาศัยเทคโนโลยี Super-Short Channel FET

– ขยายโซลูชันการป้องกันแบตเตอรี่สำหรับอุปกรณ์มือถือที่หลากหลาย

โซล ประเทศเกาหลีใต้–(BUSINESS WIRE)–#BatteryFET–Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, "Magnachip") ประกาศในวันนี้เกี่ยวกับการเปิดตัว 24V MXT LV MOSFET¹ รุ่นที่ 7 ใหม่ที่ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับวงจรป้องกันแบตเตอรี่ในสมาร์ทโฟนพับสามตอนรุ่นถัดไป เพื่อเสริมความแข็งแกร่งในตลาดสมาร์ทโฟนพับระดับพรีเมียม ผลิตภัณฑ์นี้อยู่ในระหว่างการผลิตจำนวนมากและกำลังจัดส่งให้กับผู้ผลิตสมาร์ทโฟนรายใหญ่ระดับโลก โดยแสดงให้เห็นประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือที่พิสูจน์แล้ว

24V Dual N-channel MOSFET (MDWC24D058ERH) ที่เปิดตัวใหม่นี้รวมเทคโนโลยี Super-Short Channel FET (SSCFET®)² ที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ Magnachip ซึ่งช่วยลดขนาดชิปลงประมาณ 26% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า ทำให้ผู้ผลิตสามารถลดพื้นที่ของบอร์ดโมดูลวงจรป้องกันแบตเตอรี่ (PCM) ได้มากกว่า 20% ช่วยให้สามารถใช้พื้นที่ที่ประหยัดได้เพื่อเพิ่มความจุแบตเตอรี่หรือออกแบบอุปกรณ์ให้บางลง

สมาร์ทโฟนพับสามตอนมีรูปแบบใหม่ที่พับได้สองครั้งและทำงานหน้าจอสามหน้าพร้อมกัน ช่วยให้สามารถทำงานหลายอย่างพร้อมกันได้อย่างมีประสิทธิภาพสูง ส่งผลให้โครงสร้างภายในมีความซับซ้อนมากขึ้น ประหยัดพลังงานและเชื่อถือได้มากขึ้น ขณะเดียวกันก็มีความสำคัญมากขึ้นในการออกแบบ ดังนั้นอุปกรณ์เหล่านี้จึงต้องการโซลูชัน MOSFET ที่มีการรวมตัวสูงและมีประสิทธิภาพเพื่อจัดการโครงสร้างภายในที่ซับซ้อนในขณะที่รับประกันเสถียรภาพของพลังงาน

นอกเหนือจากสมาร์ทโฟนพับสามตอนแล้ว ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ยังสามารถนำไปใช้กับแอปพลิเคชันมือถือที่หลากหลาย รวมถึงอุปกรณ์สวมใส่และแท็บเล็ต ผลิตภัณฑ์นี้ช่วยลด R_SS(on) ซึ่งเป็นสาเหตุหลักของการสูญเสียพลังงานได้ถึงประมาณ 31% ช่วยลดการผลิตความร้อน ผลิตภัณฑ์ใหม่ยังปรับปรุงความหนาแน่นของกระแสต่อหน่วยพื้นที่ได้ประมาณ 48% เมื่อเทียบกับกระบวนการ trench แบบเดิม รองรับการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่เสถียรภายใต้สภาวะกระแสสูง นอกจากนี้ยังรวมการป้องกันการปล่อยประจุไฟฟ้าสถิต (ESD) มากกว่า 2kV ช่วยปกป้องระบบแบตเตอรี่จากการรบกวนภายนอก

ตามข้อมูลจากบริษัทวิจัยตลาด Omdia ตลาดสำหรับซิลิคอนพาวเวอร์ MOSFET ต่ำกว่า 40V รวมถึงแบตเตอรี่ FET สำหรับสมาร์ทโฟน คาดว่าจะเติบโตจากประมาณ 4.2 พันล้านดอลลาร์ในปี 2025 เป็นประมาณ 5.2 พันล้านดอลลาร์ในปี 2029 คิดเป็นอัตราการเติบโตเฉลี่ยต่อปีประมาณ 4.6% ภายในตลาดนี้ กลุ่มสมาร์ทโฟนระดับพรีเมียม รวมถึงสมาร์ทโฟนพับสามตอน คาดว่าจะเป็นแรงขับเคลื่อนการเติบโต โดยได้รับการสนับสนุนจากความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับส่วนประกอบที่มีประสิทธิภาพสูงและมีประสิทธิภาพสูง

"สมาร์ทโฟนพับสามตอนเป็นตัวแทนของอุปกรณ์มือถือระดับไฮเอนด์ที่ต้องการเทคโนโลยีขั้นสูงและความน่าเชื่อถือของส่วนประกอบที่เหนือกว่า" Hyuk Woo หัวหน้าเจ้าหน้าที่ฝ่ายเทคโนโลยีของ Magnachip กล่าว "ผ่านการจัดหาผลิตภัณฑ์ MOSFET ใหม่นี้ เราได้แสดงให้เห็นอีกครั้งถึงความสามารถในการออกแบบเซมิคอนดักเตอร์กำลังและความสามารถในการแข่งขันทางเทคโนโลยีของ Magnachip ในอนาคต เราจะยังคงขยายพอร์ตโฟลิโอเซมิคอนดักเตอร์กำลังของเราสำหรับแอปพลิเคชันมือถือที่หลากหลาย รวมถึงสมาร์ทโฟน อุปกรณ์สวมใส่ และแท็บเล็ต ผ่านนวัตกรรมอย่างต่อเนื่อง"

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Power Solutions > MXT MOSFETs > 24V

บทความที่เกี่ยวข้อง

Magnachip ขยายการผลิต MXT LV MOSFET รุ่นที่ 7 โดยอาศัยเทคโนโลยี Super Short Channel FET

Magnachip เปิดตัว MXT LV MOSFET รุ่นที่ 8 รุ่นแรกที่ออกแบบด้วย Super-Short Channel FET II

เกี่ยวกับ Magnachip Semiconductor

Magnachip เป็นผู้ออกแบบและผู้ผลิตโซลูชันแพลตฟอร์มเซมิคอนดักเตอร์กำลังแบบอนาล็อกและสัญญาณผสมสำหรับแอปพลิเคชันต่างๆ รวมถึงอุตสาหกรรม ยานยนต์ การสื่อสาร ผู้บริโภค และคอมพิวเตอร์ บริษัทฯ จัดหาผลิตภัณฑ์มาตรฐานที่หลากหลายให้แก่ลูกค้าทั่วโลก Magnachip มีประวัติการดำเนินงานประมาณ 45 ปี เป็นเจ้าของสิทธิบัตรที่จดทะเบียนและใบสมัครที่รอดำเนินการจำนวนมาก และมีความเชี่ยวชาญด้านวิศวกรรม การออกแบบ และกระบวนการผลิตอย่างกว้างขวาง สำหรับข้อมูลเพิ่มเติม โปรดเยี่ยมชม www.magnachip.com ข้อมูลบนหรือสามารถเข้าถึงได้ผ่านเว็บไซต์ของ Magnachip ไม่ได้เป็นส่วนหนึ่งของ และไม่ได้รวมอยู่ในการเผยแพร่นี้

1 MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): กลุ่มผลิตภัณฑ์ MOSFET แรงดันไฟต่ำของ Magnachip ต่ำกว่า 30V โดยอาศัยเทคโนโลยีกระบวนการ trench ล่าสุด
2 SSCFET®(Super-Short Channel FET): เทคโนโลยีการออกแบบ MOSFET ของ Magnachip ที่ใช้โครงสร้างความยาวช่องสัญญาณที่ลดขนาดให้เล็กที่สุดเพื่อให้ได้ความต้านทานเปิดต่ำและความสามารถกระแสสูง

ผู้ติดต่อ

Mike Bishop
สหรัฐอเมริกา (นักลงทุนสัมพันธ์)
Bishop IR, LLC
โทร [phone]
[e-mail]

Kyeongah Cho
การสื่อสารการตลาดระดับโลก
Magnachip Semiconductor
โทร [phone]
[e-mail]