หุ้น Intel Corporation (INTC): การผลิตเพื่อทดสอบความเสี่ยง 18A-P ช่วยเสริมแผนงาน Foundry

TLDR

• Intel เพิ่มขึ้น 3.05% เมื่อ 18A-P เข้าสู่การผลิตแบบ risk production ที่ VLSI
• INTC ปรับตัวสูงขึ้นเมื่อ Intel Foundry ยืนยันความคืบหน้าของแผนงาน 18A-P
• Intel 18A-P เพิ่มประสิทธิภาพด้านพลังงาน สมรรถนะ และความยืดหยุ่นในการออกแบบ
• Intel เผยแผนการขยายสเกลชิปใน CFET, GaN และรูทีเนียม
• การอัปเดต Intel Foundry หนุน INTC หลังการซื้อขายที่ผันผวน

หุ้น Intel Corporation (INTC) ปรับตัวขึ้นสู่ระดับ 120.61 เพิ่มขึ้น 3.05% หลังจากเซสชันที่ผันผวนจบลงด้วยการฟื้นตัวอย่างแข็งแกร่ง หุ้นร่วงลงในช่วงต้น แต่ต่อมาสามารถกลับมาได้และปิดใกล้จุดสูงสุดในวัน การเคลื่อนไหวดังกล่าวตามมาหลังจาก Intel Foundry เปิดเผยข้อมูลอัปเดตล่าสุดในงาน VLSI Symposium 2026

Intel Corporation, INTC

Intel 18A-P เข้าสู่การผลิตแบบ Risk Production

Intel Foundry ระบุว่า Intel 18A-P ได้เข้าสู่การผลิตแบบ risk production แล้ว ซึ่งเป็นไปตามกรอบเวลาที่แจ้งกับลูกค้าไว้เมื่อปีที่แล้ว การอัปเดตครั้งนี้ถือเป็นการปรับปรุงสมรรถนะครั้งแรกภายในตระกูลกระบวนการ Intel 18A และยังเสริมความน่าเชื่อถือของ Intel ในด้านการดำเนินงาน Foundry ระยะยาวอีกด้วย

บริษัทนำเสนอ Intel 18A-P ในฐานะการอัปเกรดที่เข้ากันได้กับการออกแบบของ Intel 18A ด้วยความเข้ากันได้นี้ ลูกค้าจึงสามารถนำทรัพย์สินทางปัญญาและกระบวนการออกแบบที่มีอยู่เดิมมาใช้ซ้ำได้ แนวทางนี้ช่วยลดความยุ่งยากเมื่อนักออกแบบชิปเปลี่ยนไปใช้กระบวนการที่ปรับปรุงแล้ว

Intel ระบุว่า 18A-P ให้สมรรถนะสูงขึ้น 9% ที่ระดับพลังงานเท่าเดิม และยังให้พลังงานต่ำลง 18% ที่ระดับสมรรถนะเท่าเดิม นอกจากนี้ กระบวนการดังกล่าวยังเพิ่มคุณสมบัติด้านความร้อนที่ดีขึ้นและตัวเลือกการออกแบบที่หลากหลายยิ่งขึ้น

การอัปเดตกระบวนการรองรับการปรับปรุงสมรรถนะและพลังงาน

Intel แนะนำ Power Boost ซึ่งเป็นตัวเลือกทรานซิสเตอร์แบบ dual-contact สำหรับ Intel 18A-P คุณสมบัตินี้ช่วยลดความต้านทาน เพิ่มกระแสขับเคลื่อน และรองรับความถี่ที่สูงขึ้นที่ค่าความจุเท่ากัน ส่งผลให้นักออกแบบมีแนวทางเพิ่มเติมในการปรับปรุงสมรรถนะชิป

บริษัทยังรายงานความต้านทานความร้อนที่ดีขึ้น 20% ถึง 40% Intel อ้างถึงความต้านทาน via ที่ดีขึ้น 10% ถึง 30% ผ่านการเปลี่ยนแปลงวัสดุและรูปทรงเรขาคณิต การอัปเดตเหล่านี้มุ่งเน้นที่การไหลของความร้อน การส่งพลังงาน และการเคลื่อนที่ของสัญญาณในชั้นต่างๆ ของชิป

Intel ยังเพิ่มตัวเลือกทรานซิสเตอร์แบบประหยัดพลังงานและสมรรถนะสูงใหม่ โดยเพิ่มคู่ threshold แรงดันลอจิกคู่ที่ห้าระหว่าง ULVT และ LVT ซึ่งช่วยให้นักออกแบบมีความยืดหยุ่นมากขึ้นในการสมดุลระหว่างความเร็ว พลังงาน และประสิทธิภาพ

การนำเสนอใน VLSI เพิ่มบริบทระยะยาว

Intel ใช้งาน VLSI เพื่อเชื่อมโยง 18A-P กับงานก่อนหน้าบน Intel 18A บริษัทได้นำทรานซิสเตอร์ gate-all-around และการส่งพลังงานด้านหลัง (backside power delivery) ออกสู่ตลาดเมื่อปีที่แล้ว เทคโนโลยีเหล่านั้นกำลังรองรับการปรับปรุงกระบวนการขั้นต่อไปและแผนการขยายสเกลในอนาคต

Intel นำเสนองานวิจัยที่แสดงให้เห็นการลดพื้นที่ routed ลง 11% และ dynamic voltage droop ต่ำลง 10 เท่า บริษัทระบุว่าผลลัพธ์เหล่านี้สามารถรองรับความถี่ที่สูงขึ้นได้ถึง 6% และยังช่วยให้ dynamic power ต่ำลงกว่า 15% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี frontside ที่เทียบเคียงกัน

Intel ยังแสดงงานวิจัยระยะยาวในด้าน CFET, การผสานรวม GaN และ ruthenium interconnect งาน CFET ของบริษัทซ้อนอุปกรณ์ NMOS และ PMOS ที่ gate pitch ขนาด 45nm ขณะที่การศึกษา GaN และรูทีเนียมมุ่งเน้นการจัดการพลังงาน การขยายสเกล interconnect และประสิทธิภาพชิปในอนาคต

The post Intel Corporation (INTC) Stock: 18A-P Risk Production Boosts Foundry Roadmap appeared first on CoinCentral.