Magnachip запускает новый 24V BatteryFET для защиты аккумулятора трёхскладного смартфона

– Достигается уменьшение размера чипа на 26% и улучшение R_ss(on) на 31% на основе технологии Super-Short Channel FET

– Расширяет решения по защите батареи для широкого спектра мобильных устройств.

СЕУЛ, Южная Корея–(BUSINESS WIRE)–#BatteryFET–Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, "Magnachip") сегодня объявила о запуске нового 24V MXT LV MOSFET¹ 7-го поколения, специально разработанного для схем защиты батареи в смартфонах нового поколения с тройным складыванием, укрепляя свое присутствие на рынке премиальных складных смартфонов. Продукт уже находится в массовом производстве и в настоящее время поставляется крупному мировому производителю смартфонов, продемонстрировав доказанную производительность и надежность.

Недавно представленный 24V Dual N-channel MOSFET (MDWC24D058ERH) включает собственную технологию Magnachip Super-Short Channel FET (SSCFET®)², уменьшая размер чипа примерно на 26% по сравнению с предыдущей версией. Это позволяет производителям уменьшить площадь платы модуля защиты батареи (PCM) более чем на 20%, что позволяет использовать сэкономленное пространство для увеличения емкости батареи или более тонкого дизайна устройства.

Смартфоны с тройным складыванием имеют новый форм-фактор, который складывается дважды и управляет тремя дисплеями одновременно, обеспечивая высокопроизводительную многозадачность. В результате их внутренние структуры стали более сложными, энергоэффективными и надежными, а также становятся все более критичными в дизайне. Соответственно, эти устройства требуют высокоинтегрированных и эффективных MOSFET решений для управления сложными внутренними структурами, обеспечивая при этом стабильность питания.

Помимо смартфонов с тройным складыванием, новый продукт может применяться в широком спектре мобильных приложений, включая носимые устройства и планшеты. Он снижает R_SS(on), основной источник потери мощности, до примерно 31%, помогая уменьшить выделение тепла. Новый продукт также улучшает плотность тока на единицу площади примерно на 48% по сравнению с традиционными траншейными процессами, поддерживая стабильное управление напряжением в условиях высокого тока. Кроме того, он интегрирует защиту от электростатического разряда (ESD) более 2 кВ, помогая защитить системы батарей от внешних помех.

По данным исследовательской компании Omdia, рынок кремниевых силовых MOSFET ниже 40 В, включая batteryFETs для смартфонов, ожидается вырастет с примерно 4,2 миллиарда $ в 2025 году до примерно 5,2 миллиарда $ в 2029 году, что представляет собой совокупный годовой темп роста около 4,6%. В этом рынке премиальный сегмент смартфонов, включая смартфоны с тройным складыванием, ожидается будет стимулировать рост, поддерживаемый растущим спросом на высокопроизводительные и высокоэффективные компоненты.

"Смартфоны с тройным складыванием представляют собой высококлассные мобильные устройства, требующие передовых технологий и превосходной надежности компонентов," сказал Hyuk Woo, Руководитель технологического отдела（CTO） Magnachip. "Благодаря поставке этого нового MOSFET продукта мы еще раз продемонстрировали возможности проектирования силовых полупроводников и технологическую конкурентоспособность Magnachip. В дальнейшем мы продолжим расширять наш портфель силовых полупроводников для широкого спектра мобильных приложений, включая смартфоны, носимые устройства и планшеты, через постоянные инновации."

Связанные ссылки

Power Solutions > MXT MOSFETs > 24V

Связанные статьи

Magnachip расширяет производство MXT LV MOSFET 7-го поколения на основе технологии Super Short Channel FET

Magnachip представляет свой первый MXT LV MOSFET 8-го поколения, разработанный с Super-Short Channel FET II

О Magnachip Semiconductor

Magnachip является разработчиком и производителем аналоговых и смешанных силовых полупроводниковых платформенных решений для различных приложений, включая промышленные, автомобильные, коммуникационные, потребительские и вычислительные. Компания предоставляет широкий спектр стандартных продуктов клиентам по всему миру. Magnachip, имея около 45 лет операционной истории, владеет значительным количеством зарегистрированных патентов и ожидающих рассмотрения заявок, а также обладает обширным опытом в инженерии, проектировании и производственных процессах. Для получения дополнительной информации посетите www.magnachip.com. Информация на веб-сайте Magnachip или доступная через него не является частью данного релиза и не включается в него.

1 MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): Семейство низковольтных MOSFET продуктов Magnachip ниже 30 В на основе новейшей технологии траншейного процесса.
2 SSCFET®(Super-Short Channel FET): Технология проектирования MOSFET от Magnachip, которая применяет минимизированную структуру длины канала для достижения низкого сопротивления во включенном состоянии и высокой токовой способности.

Контакты

Mike Bishop
United States (Investor Relations)
Bishop IR, LLC
Tel. [phone]
[e-mail]

Kyeongah Cho
Global Marketing Communication
Magnachip Semiconductor
Tel. [phone]
[e-mail]