Acciones de Intel Corporation (INTC): La producción de riesgo 18A-P impulsa la hoja de ruta de fundición

TLDR

• Intel sube un 3,05% mientras 18A-P entra en producción de riesgo en VLSI.
• INTC gana terreno mientras Intel Foundry confirma el progreso del roadmap de 18A-P.
• Intel 18A-P añade mejoras en potencia, rendimiento y flexibilidad de diseño.
• Intel detalla el trabajo de escalado de chips en CFET, GaN y rutenio.
• La actualización de Intel Foundry respalda la acción de INTC tras una negociación volátil.

Las acciones de Intel Corporation (INTC) avanzaron hasta 120,61, un alza del 3,05%, después de que una sesión agitada terminara con una firme recuperación. La acción cayó al inicio, pero luego recuperó terreno y cerró cerca de los máximos intradía. El movimiento siguió a las novedades de Intel Foundry en el Simposio VLSI 2026.

Intel Corporation, INTC

Intel 18A-P entra en producción de riesgo

Intel Foundry informó que Intel 18A-P ha entrado en producción de riesgo, cumpliendo con el calendario compartido con los clientes el año pasado. La actualización marcó la primera mejora de rendimiento dentro de la familia de procesos Intel 18A. También reforzó el mensaje de Intel sobre la ejecución a largo plazo de su foundry.

La compañía presentó Intel 18A-P como una actualización compatible en diseño con Intel 18A. Gracias a esa compatibilidad, los clientes pueden reutilizar la propiedad intelectual y los flujos de diseño existentes. Este enfoque puede reducir fricciones a medida que los diseñadores de chips avanzan hacia el proceso mejorado.

Intel afirmó que 18A-P ofrece un rendimiento un 9% mayor con la misma potencia. También ofrece un 18% menos de consumo de potencia al mismo nivel de rendimiento. Además, el proceso añade mejores características térmicas y opciones de diseño más amplias.

Las actualizaciones de proceso respaldan las mejoras de rendimiento y potencia

Intel presentó Power Boost, una opción de transistor de doble contacto para Intel 18A-P. La función reduce la resistencia, aumenta la corriente de conducción y soporta mayor frecuencia con la misma capacitancia. Como resultado, los diseñadores obtienen otra vía para mejorar el rendimiento de los chips.

La compañía también reportó una resistencia térmica mejorada entre un 20% y un 40%. Intel citó una resistencia de vía mejorada entre un 10% y un 30% mediante cambios en materiales y geometría. Estas actualizaciones apuntan al flujo de calor, la distribución de energía y el movimiento de señales a través de las capas del chip.

Intel también añadió nuevas opciones de transistores de bajo consumo y alto rendimiento. Incluyó un quinto par de umbral de voltaje lógico entre ULVT y LVT. Por lo tanto, los diseñadores obtienen mayor flexibilidad al equilibrar velocidad, potencia y eficiencia.

Las presentaciones en VLSI añaden un contexto a más largo plazo

Intel aprovechó el evento VLSI para conectar 18A-P con el trabajo previo en Intel 18A. La compañía llevó al mercado el año pasado transistores gate-all-around y la distribución de energía por la parte trasera. Esas tecnologías ahora respaldan sus próximas mejoras de proceso y planes de escalado futuros.

Intel presentó investigaciones que muestran una reducción del 11% en el área enrutada y una caída de voltaje dinámico 10 veces menor. La compañía afirmó que esas mejoras pueden respaldar hasta un 6% de mayor frecuencia. También pueden permitir más de un 15% menos de potencia dinámica frente a la tecnología frontside comparable.

Intel también mostró investigaciones a más largo plazo en CFET, integración de GaN e interconexión de rutenio. Su trabajo en CFET apilaba dispositivos NMOS y PMOS a un paso de puerta de 45 nm. Mientras tanto, los estudios de GaN y rutenio se centraron en la gestión de energía, el escalado de interconexiones y la eficiencia futura de los chips.

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